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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD19506KTT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD19506KTT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD19506KTT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD19506KTT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Fiche technique
CSD19506KTT.pdf
État RoHS
En stock: 11164

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD19506KTT
Texas Instruments - CSD19506KTT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD19506KTT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DDPAK/TO-263-3  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD19506  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD19506KTT

Attributs du produit CSD19506KTT CSD19532Q5BT CSD19506KCS CSD19502Q5B
Modèle de produit CSD19506KTT CSD19532Q5BT CSD19506KCS CSD19502Q5B
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V 4.9mOhm @ 17A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 4.1mOhm @ 19A, 10V
Package / Boîte TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 8-PowerTDFN TO-220-3 8-PowerTDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Package composant fournisseur DDPAK/TO-263-3 8-VSON-CLIP (5x6) TO-220-3 8-VSON-CLIP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Ta) 100A (Ta) 100A (Ta) 100A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 40 V 4810 pF @ 50 V 12200 pF @ 40 V 4870 pF @ 40 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 80 V 80 V
Numéro de produit de base CSD19506 CSD19532 CSD19506 CSD19502

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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