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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD19502Q5BT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD19502Q5BT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD19502Q5BT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD19502Q5BT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD19502Q5BT.pdf
État RoHS
En stock: 14247

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD19502Q5BT
Texas Instruments - CSD19502Q5BT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD19502Q5BT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD19502  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD19502Q5BT

Attributs du produit CSD19502Q5BT CSD18543Q3AT CSD18543Q3A CSD19506KCS
Modèle de produit CSD19502Q5BT CSD18543Q3AT CSD18543Q3A CSD19506KCS
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - Standard Standard -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 66W (Tc) 66W (Tc) 375W (Tc)
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (3x3.15) 8-VSONP (3x3.15) TO-220-3
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 40 V 1150 pF @ 30 V 1150 pF @ 30 V 12200 pF @ 40 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 12A (Ta), 60A (Tc) 60A (Tc) 100A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.7V @ 250µA 3.2V @ 250µA
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V 15.6mOhm @ 12A, 4.5V 9.9mOhm @ 12A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base CSD19502 CSD18543 CSD18543 CSD19506
Tension drain-source (Vdss) 80 V 60 V 60 V 80 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN TO-220-3

Fiche technique CSD19502Q5BT PDF

Téléchargez CSD19502Q5BT PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD19502Q5BT - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Multi Devices 23/Jun/2017.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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