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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17552Q5A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17552Q5A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17552Q5A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17552Q5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17552Q5A.pdf
État RoHS
En stock: 68240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17552Q5A
Texas Instruments - CSD17552Q5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17552Q5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Ta), 60A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17552  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17552Q5A

Attributs du produit CSD17552Q5A CSD17522Q5A CSD17552Q3A CSD17551Q3A
Modèle de produit CSD17552Q5A CSD17522Q5A CSD17552Q3A CSD17551Q3A
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 15A, 10V 8.1mOhm @ 14A, 10V 6mOhm @ 11A, 10V 9mOhm @ 11A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Ta), 60A (Tc) 87A (Tc) 15A (Ta), 60A (Tc) 12A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 15 V 695 pF @ 15 V 2050 pF @ 15 V 1370 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2.6W (Ta) 2.6W (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base CSD17552 CSD17522 CSD17552 CSD17551
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-SON (3.3x3.3) 8-SON (3.3x3.3)
Fonction FET - - - -
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 2V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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