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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17573Q5BT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17573Q5BT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17573Q5BT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17573Q5BT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17573Q5BT.pdf
État RoHS
En stock: 23471

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17573Q5BT
Texas Instruments - CSD17573Q5BT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17573Q5BT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 195W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD17573Q5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17573Q5BT

Attributs du produit CSD17573Q5BT CSD17556Q5B CSD17576Q5BT CSD17573Q5B
Modèle de produit CSD17573Q5BT CSD17556Q5B CSD17576Q5BT CSD17573Q5B
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 4.5 V 39 nC @ 4.5 V 32 nC @ 4.5 V 64 nC @ 4.5 V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base CSD17573Q5 CSD17556 CSD17576Q5 CSD17573Q5
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.65V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 15 V 7020 pF @ 15 V 4430 pF @ 15 V 9000 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 34A (Ta), 100A (Tc) 100A (Ta) 100A (Ta)
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V 1.4mOhm @ 40A, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 1mOhm @ 35A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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