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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17573Q5B
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17573Q5B - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17573Q5B
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17573Q5B
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17573Q5B.pdf
État RoHS
En stock: 62240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17573Q5B
Texas Instruments - CSD17573Q5B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17573Q5B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 195W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD17573Q5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17573Q5B

Attributs du produit CSD17573Q5B CSD17552Q3A CSD17577Q3AT CSD17559Q5
Modèle de produit CSD17573Q5B CSD17552Q3A CSD17577Q3AT CSD17559Q5
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 11A, 10V 4.8mOhm @ 16A, 10V 1.15mOhm @ 40A, 10V
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 8-SON (3.3x3.3) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 51 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 15 V 2050 pF @ 15 V 2310 pF @ 15 V 9200 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 2.6W (Ta) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 15A (Ta), 60A (Tc) 35A (Ta) 40A (Ta), 100A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base CSD17573Q5 CSD17552 CSD17577 CSD17559

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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