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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17552Q3A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17552Q3A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17552Q3A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17552Q3A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
CSD17552Q3A.pdf
État RoHS
En stock: 86480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17552Q3A
Texas Instruments - CSD17552Q3A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17552Q3A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SON (3.3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.6W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 60A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17552  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17552Q3A

Attributs du produit CSD17552Q3A CSD17551Q3A CSD17506Q5A CSD17570Q5BT
Modèle de produit CSD17552Q3A CSD17551Q3A CSD17506Q5A CSD17570Q5BT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 15 V 1370 pF @ 15 V 1650 pF @ 15 V 13600 pF @ 15 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 60A (Tc) 12A (Tc) 100A (Tc) 100A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numéro de produit de base CSD17552 CSD17551 CSD17506 CSD17570Q5
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 2.6W (Ta) 2.6W (Ta) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 11A, 10V 9mOhm @ 11A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 0.69mOhm @ 50A, 10V
Package composant fournisseur 8-SON (3.3x3.3) 8-SON (3.3x3.3) 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 121 nC @ 4.5 V

Fiche technique CSD17552Q3A PDF

Téléchargez CSD17552Q3A PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD17552Q3A - Texas Instruments.

Emballage PCN
ECAT Label Update 02/Oct/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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