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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17551Q3A
CSD17551Q3A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17551Q3A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17551Q3A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17551Q3A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
CSD17551Q3A.pdf
État RoHS
En stock: 102220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17551Q3A
Texas Instruments - CSD17551Q3A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17551Q3A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SON (3.3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.6W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD17551  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17551Q3A

Attributs du produit CSD17551Q3A CSD17570Q5B CSD17527Q5A CSD17571Q2
Modèle de produit CSD17551Q3A CSD17570Q5B CSD17527Q5A CSD17571Q2
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V 0.69mOhm @ 50A, 10V 10.8mOhm @ 11A, 10V 29mOhm @ 5A, 4.5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 100A (Ta) 65A (Tc) 22A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 15 V 13600 pF @ 15 V 506 pF @ 15 V 468 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-SON (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 6-SON (2x2)
Dissipation de puissance (max) 2.6W (Ta) 3.2W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V 121 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 3.1 nC @ 4.5 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numéro de produit de base CSD17551 CSD17570Q5 CSD17527 CSD17571

Fiche technique CSD17551Q3A PDF

Téléchargez CSD17551Q3A PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD17551Q3A - Texas Instruments.

Emballage PCN
ECAT Label Update 02/Oct/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD17551Q3A

Texas Instruments
32D-CSD17551Q3A

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