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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD15571Q2
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD15571Q2 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD15571Q2
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD15571Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
CSD15571Q2.pdf
État RoHS
En stock: 181440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD15571Q2
Texas Instruments - CSD15571Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD15571Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-SON (2x2)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 419 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD15571  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD15571Q2

Attributs du produit CSD15571Q2 CSD16321Q5C CSD16301Q2 CSD13381F4
Modèle de produit CSD15571Q2 CSD16321Q5C CSD16301Q2 CSD13381F4
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 25 V 25 V 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 419 pF @ 10 V 3100 pF @ 12.5 V 340 pF @ 12.5 V 200 pF @ 6 V
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 6-SMD, Flat Leads 3-XFDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta) 2.3W (Ta) 500mW (Ta)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 3V, 8V 3V, 8V 1.8V, 4.5V
Package composant fournisseur 6-SON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6) 6-SON 3-PICOSTAR
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta) 31A (Ta), 100A (Tc) 5A (Tc) 2.1A (Ta)
Numéro de produit de base CSD15571 CSD1632 CSD16301 CSD13381
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 2.8 nC @ 4.5 V 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V +10V, -8V +10V, -8V 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.55V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 8V 24mOhm @ 4A, 8V 180mOhm @ 500mA, 4.5V

Fiche technique CSD15571Q2 PDF

Téléchargez CSD15571Q2 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD15571Q2 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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