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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD16301Q2
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD16301Q2 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD16301Q2
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD16301Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
CSD16301Q2.pdf
État RoHS
En stock: 146390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD16301Q2
Texas Instruments - CSD16301Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD16301Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.55V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-SON  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 12.5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD16301  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD16301Q2

Attributs du produit CSD16301Q2 CSD15380F3 CSD15571Q2 CSD16322Q5
Modèle de produit CSD16301Q2 CSD15380F3 CSD15571Q2 CSD16322Q5
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V 0.281 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V 9.7 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 500mA (Ta) 22A (Ta) 21A (Ta), 97A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta) 500mW (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.55V @ 250µA 1.35V @ 2.5µA 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Package composant fournisseur 6-SON 3-PICOSTAR 6-SON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6)
Numéro de produit de base CSD16301 CSD15380 CSD15571 CSD16322
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 25 V 20 V 20 V 25 V
Vgs (Max) +10V, -8V 10V ±20V +10V, -8V
Fonction FET - - - -
Séries NexFET™ FemtoFET™ NexFET™ NexFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 12.5 V 10.5 pF @ 10 V 419 pF @ 10 V 1365 pF @ 12.5 V
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 3-XFDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 8V 1190mOhm @ 100mA, 8V 15mOhm @ 5A, 10V 5mOhm @ 20A, 8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V 2.8V, 8V 4.5V, 10V 3V, 8V

Fiche technique CSD16301Q2 PDF

Téléchargez CSD16301Q2 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD16301Q2 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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