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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD13306W
CSD13306W Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD13306W - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD13306W
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD13306W
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Description détaillée
Emballage
6-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD13306W.pdf
État RoHS
En stock: 164610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD13306W
Texas Instruments - CSD13306W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD13306W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta)  
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD13306  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD13306W

Attributs du produit CSD13306W CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13201W10
Modèle de produit CSD13306W CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13201W10
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 12 V 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 6 V 674 pF @ 6 V 156 pF @ 6 V 462 pF @ 6 V
Numéro de produit de base CSD13306 CSD13385 CSD13380 CSD13201
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.2W (Ta)
Vgs (Max) ±10V 8V 8V ±8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA 3-SMD, No Lead 3-XFDFN 4-UFBGA, DSBGA
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 4.3A (Ta) 3.6A (Ta) 1.6A (Ta)
Séries NexFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ NexFET™
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 4-DSBGA (1x1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 1.2 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V 19mOhm @ 900mA, 4.5V 76mOhm @ 400mA, 4.5V 34mOhm @ 1A, 4.5V

Fiche technique CSD13306W PDF

Téléchargez CSD13306W PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD13306W - Texas Instruments.

Emballage PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
Conception / spécification PCN
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD13306W

Texas Instruments
32D-CSD13306W

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