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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD13385F5
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD13385F5 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD13385F5
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD13385F5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Description détaillée
Emballage
3-SMD, No Lead
Fiche technique
CSD13385F5.pdf
État RoHS
En stock: 192350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD13385F5
Texas Instruments - CSD13385F5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD13385F5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) 8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 3-PICOSTAR  
Séries FemtoFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 900mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 3-SMD, No Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 674 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD13385  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD13385F5

Attributs du produit CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13381F4T CSD13303W1015
Modèle de produit CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13381F4T CSD13303W1015
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 674 pF @ 6 V 156 pF @ 6 V 200 pF @ 6 V 715 pF @ 6 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base CSD13385 CSD13380 CSD13381F4 CSD13303
Séries FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ NexFET™
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 3-SMD, No Lead 3-XFDFN 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta) 3.6A (Ta) 2.1A (Ta) 31A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.65W (Ta)
Vgs (Max) 8V 8V 8V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 900mA, 4.5V 76mOhm @ 400mA, 4.5V 180mOhm @ 500mA, 4.5V 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V 1.2 nC @ 4.5 V 1.4 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 12 V 12 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V

Fiche technique CSD13385F5 PDF

Téléchargez CSD13385F5 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD13385F5 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
CSDx 15/Mar/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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