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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD16321Q5
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD16321Q5 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD16321Q5
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD16321Q5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD16321Q5.pdf
État RoHS
En stock: 49810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD16321Q5
Texas Instruments - CSD16321Q5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD16321Q5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD16321  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD16321Q5

Attributs du produit CSD16321Q5 CSD16301Q2 CSD16321Q5C CSD15380F3
Modèle de produit CSD16321Q5 CSD16301Q2 CSD16321Q5C CSD15380F3
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Numéro de produit de base CSD16321 CSD16301 CSD1632 CSD15380
Package / Boîte 8-PowerTDFN 6-SMD, Flat Leads 8-PowerTDFN 3-XFDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V 340 pF @ 12.5 V 3100 pF @ 12.5 V 10.5 pF @ 10 V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ FemtoFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V 24mOhm @ 4A, 8V 2.4mOhm @ 25A, 8V 1190mOhm @ 100mA, 8V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 6-SON 8-VSON-CLIP (5x6) 3-PICOSTAR
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.55V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.35V @ 2.5µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 2.8 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 0.281 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V +10V, -8V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Ta), 100A (Tc) 5A (Tc) 31A (Ta), 100A (Tc) 500mA (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta) 2.3W (Ta) 3.1W (Ta) 500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3V, 8V 3V, 8V 3V, 8V 2.8V, 8V

Fiche technique CSD16321Q5 PDF

Téléchargez CSD16321Q5 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD16321Q5 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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