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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX32N50
IXFX32N50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX32N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX32N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX32N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXFX32N50.pdf
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX32N50
IXYS - IXFX32N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX32N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX32N50

Attributs du produit IXFX32N50 IXFX44N80P IXFX24N90Q IXFX44N60
Modèle de produit IXFX32N50 IXFX44N80P IXFX24N90Q IXFX44N60
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Numéro de produit de base IXFX32 IXFX44 IXFX24 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube -
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 800 V 900 V 600V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 330nC @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 450mOhm @ 500mA, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 44A (Tc) 24A (Tc) 44A (Tc)
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 1040W (Tc) 500W (Tc) 560W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5450 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V 8900pF @ 25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXFX32N50 PDF

Téléchargez IXFX32N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX32N50 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
IXFX32N50.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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