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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX44N55Q
IXFX44N55Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX44N55Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX44N55Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX44N55Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXF(K,X)44N55Q.pdf
État RoHS
En stock: 4040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX44N55Q
IXYS - IXFX44N55Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX44N55Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX44N55Q

Attributs du produit IXFX44N55Q IXFX55N50F IXFX44N80P IXFX26N90
Modèle de produit IXFX44N55Q IXFX55N50F IXFX44N80P IXFX26N90
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerRF™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6400 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 55A (Tc) 44A (Tc) 26A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 550 V 500 V 800 V 900 V
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IXFX44 IXFX55 IXFX44 IXFX26
Emballer Box Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 560W (Tc) 1040W (Tc) 560W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 85mOhm @ 27.5A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V

Fiche technique IXFX44N55Q PDF

Téléchargez IXFX44N55Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX44N55Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)44N55Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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