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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX24N90Q
IXFX24N90Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX24N90Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX24N90Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX24N90Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXF(K,X)24N90Q.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX24N90Q
IXYS - IXFX24N90Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX24N90Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX24N90Q

Attributs du produit IXFX24N90Q IXFX21N100F IXFX34N80 IXFX26N90
Modèle de produit IXFX24N90Q IXFX21N100F IXFX34N80 IXFX26N90
Fabricant IXYS IXYS RF IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V 5500pF @ 25V 7500 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 10V 500 mOhm @ 10.5A, 10V 240mOhm @ 17A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 160nC @ 10V 270 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFX24 - IXFX34 IXFX26
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerRF™ HiPerFET™ HiPerFET™
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Emballer Tube - Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 21A (Tc) 34A (Tc) 26A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 500W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 900 V 1000V 800 V 900 V
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3

Fiche technique IXFX24N90Q PDF

Téléchargez IXFX24N90Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX24N90Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)24N90Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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