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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX38N80Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX38N80Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX38N80Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf
État RoHS
En stock: 4790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX38N80Q2
IXYS - IXFX38N80Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX38N80Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 735W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX38N80Q2

Attributs du produit IXFX38N80Q2 IXFX32N50Q IXFX44N80P IXFX30N100Q2
Modèle de produit IXFX38N80Q2 IXFX32N50Q IXFX44N80P IXFX30N100Q2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 32A (Tc) 44A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 735W (Tc) 416W (Tc) 1040W (Tc) 735W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V
Séries HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 800 V 1000 V
Numéro de produit de base IXFX38 IXFX32 IXFX44 IXFX30

Fiche technique IXFX38N80Q2 PDF

Téléchargez IXFX38N80Q2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX38N80Q2 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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