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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX48N50Q
IXFX48N50Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX48N50Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX48N50Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX48N50Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXF(K,X)4(4,8)N50Q.pdf
État RoHS
En stock: 2892

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX48N50Q
IXYS - IXFX48N50Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX48N50Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX48N50Q

Attributs du produit IXFX48N50Q IXFX64N60P IXFX50N50 IXFX44N60
Modèle de produit IXFX48N50Q IXFX64N60P IXFX50N50 IXFX44N60
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc) 64A (Tc) 50A (Tc) 44A (Tc)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 8900pF @ 25V
Emballer Tube Tube Tube -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 24A, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 25A, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 1040W (Tc) 520W (Tc) 560W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 600V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Numéro de produit de base IXFX48 IXFX64 IXFX50 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 330nC @ 10V
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3

Fiche technique IXFX48N50Q PDF

Téléchargez IXFX48N50Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX48N50Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)4(4,8)N50Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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