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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFP60N25X3
IXFP60N25X3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFP60N25X3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFP60N25X3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFP60N25X3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXFx60N25X3.pdf
État RoHS
En stock: 9113

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFP60N25X3
IXYS - IXFP60N25X3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFP60N25X3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB (IXFP)  
Séries HiPerFET™, Ultra X3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 320W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFP60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFP60N25X3

Attributs du produit IXFP60N25X3 IXFP4N100PM IXFP22N60P3 IXFP34N65X2M
Modèle de produit IXFP60N25X3 IXFP4N100PM IXFP22N60P3 IXFP34N65X2M
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X2
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 1000 V 600 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 320W (Tc) 40W (Tc) 500W (Tc) 40W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 25 V 1456 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 3230 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Package composant fournisseur TO-220AB (IXFP) TO-220 Isolated Tab TO-220-3 TO-220 Isolated Tab
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA 6V @ 250µA 5V @ 1.5mA 5V @ 1.5mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 2.1A (Tc) 22A (Tc) 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 3.3Ohm @ 2A, 10V 360mOhm @ 11A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFP60 IXFP4N100 IXFP22 IXFP34
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique IXFP60N25X3 PDF

Téléchargez IXFP60N25X3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFP60N25X3 - IXYS.

Feuilles de données
IXFx60N25X3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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