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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN70N120SK
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN70N120SK - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN70N120SK
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN70N120SK
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN70N120SK.pdf
État RoHS
En stock: 360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN70N120SK
IXYS - IXFN70N120SK Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN70N120SK

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15mA  
Vgs (Max) +20V, -5V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 68A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN70  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN70N120SK

Attributs du produit IXFN70N120SK IXFN60N60 IXFN70N60Q2 IXFN66N85X
Modèle de produit IXFN70N120SK IXFN60N60 IXFN70N60Q2 IXFN66N85X
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 600 V 850 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Dissipation de puissance (max) - 700W (Tc) 890W (Tc) 830W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V 15000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V 380 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +20V, -5V ±20V ±30V ±30V
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Séries - HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Ultra X
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 68A (Tc) 60A (Tc) 70A (Tc) 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V 75mOhm @ 500mA, 10V 80mOhm @ 35A, 10V 65mOhm @ 33A, 10V
Numéro de produit de base IXFN70 IXFN60 IXFN70 IXFN66
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 10V 10V

Fiche technique IXFN70N120SK PDF

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Feuilles de données
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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