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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN62N80Q3
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN62N80Q3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN62N80Q3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN62N80Q3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN62N80Q3.pdf
État RoHS
En stock: 870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN62N80Q3
IXYS - IXFN62N80Q3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN62N80Q3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Q3 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN62  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN62N80Q3

Attributs du produit IXFN62N80Q3 IXFN55N50 IXFN60N80P IXFN52N90P
Modèle de produit IXFN62N80Q3 IXFN55N50 IXFN60N80P IXFN52N90P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Numéro de produit de base IXFN62 IXFN55 IXFN60 -
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar Polar™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 308nC @ 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc) 55A (Tc) 53A (Tc) 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 31A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 140mOhm @ 30A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 800 V 900V
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 625W (Tc) 1040W (Tc) 890W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
Emballer Tube Tube Tube -

Fiche technique IXFN62N80Q3 PDF

Téléchargez IXFN62N80Q3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN62N80Q3 - IXYS.

Feuilles de données
IXFN62N80Q3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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