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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN73N30Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN73N30Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN73N30Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN73N30Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN73N30Q.pdf
État RoHS
En stock: 5430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN73N30Q
IXYS - IXFN73N30Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN73N30Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 481W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 73A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN73  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN73N30Q

Attributs du produit IXFN73N30Q IXFN70N60Q2 IXFN70N120SK IXFN73N30
Modèle de produit IXFN73N30Q IXFN70N60Q2 IXFN70N120SK IXFN73N30
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 300 V 600 V 1200 V 300 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 73A (Tc) 70A (Tc) 68A (Tc) 73A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q2 Class - HiPerFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 161 nC @ 20 V 360 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFN73 IXFN70 IXFN70 IXFN73
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 2790 pF @ 1000 V 9000 pF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 15mA 4V @ 8mA
Dissipation de puissance (max) 481W (Tc) 890W (Tc) - 500W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V +20V, -5V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 20V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V 80mOhm @ 35A, 10V 34mOhm @ 50A, 20V 45mOhm @ 500mA, 10V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXFN73N30Q PDF

Téléchargez IXFN73N30Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN73N30Q - IXYS.

Feuilles de données
IXFN73N30Q.pdf

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Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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