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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN60N60
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN60N60 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN60N60
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN60N60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN60N60.pdf
En stock: 5130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN60N60
IXYS - IXFN60N60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN60N60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN60N60

Attributs du produit IXFN60N60 IXFN62N80Q3 IXFN66N85X IXFN52N90P
Modèle de produit IXFN60N60 IXFN62N80Q3 IXFN66N85X IXFN52N90P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 31A, 10V 65mOhm @ 33A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™, Ultra X Polar™
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 308nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 49A (Tc) 65A (Tc) 43A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube -
Numéro de produit de base IXFN60 IXFN62 IXFN66 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 850 V 900V
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc) 960W (Tc) 830W (Tc) 890W (Tc)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

Fiche technique IXFN60N60 PDF

Téléchargez IXFN60N60 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN60N60 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFN60N60.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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