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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN66N50Q2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN66N50Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN66N50Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN66N50Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN66N50Q2.pdf
En stock: 3640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN66N50Q2
IXYS - IXFN66N50Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN66N50Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 735W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 199 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 66A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN66  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN66N50Q2

Attributs du produit IXFN66N50Q2 IXFN73N30 IXFN72N55Q2 IXFN70N120SK
Modèle de produit IXFN66N50Q2 IXFN73N30 IXFN72N55Q2 IXFN70N120SK
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 34mOhm @ 50A, 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFN66 IXFN73 IXFN72 IXFN70
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 2790 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (max) 735W (Tc) 500W (Tc) 890W (Tc) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 66A (Tc) 73A (Tc) 72A (Tc) 68A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 20V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V +20V, -5V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 300 V 550 V 1200 V
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 199 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V 161 nC @ 20 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class -

Fiche technique IXFN66N50Q2 PDF

Téléchargez IXFN66N50Q2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN66N50Q2 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
IXF(K,N,R,X)66N50Q2 11/Oct/2011.pdf
Feuilles de données
IXFN66N50Q2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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