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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN55N50F
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN55N50F - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN55N50F
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN55N50F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN55N50F.pdf
État RoHS
En stock: 4190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN55N50F
IXYS - IXFN55N50F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN55N50F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, F Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 27.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN55  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN55N50F

Attributs du produit IXFN55N50F IXFN64N60P IXFN60N80P IXFN52N90P
Modèle de produit IXFN55N50F IXFN64N60P IXFN60N80P IXFN52N90P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 700W (Tc) 1040W (Tc) 890W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc) 50A (Tc) 53A (Tc) 43A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXFN55 IXFN64 IXFN60 -
Séries HiPerFET™, F Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar Polar™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 800 V 900V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 308nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 27.5A, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 30A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V

Fiche technique IXFN55N50F PDF

Téléchargez IXFN55N50F PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN55N50F - IXYS.

Feuilles de données
IXFN55N50F.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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