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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK21N100F
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK21N100F - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK21N100F
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK21N100F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFK21N100F, IXFX21N100F.pdf
En stock: 3620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK21N100F
IXYS - IXFK21N100F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK21N100F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA  
Séries HiPerRF™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK21  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK21N100F

Attributs du produit IXFK21N100F IXFK15N100Q IXFK200N10P IXFK26N60Q
Modèle de produit IXFK21N100F IXFK15N100Q IXFK200N10P IXFK26N60Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package composant fournisseur TO-264AA TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 360W (Tc) 830W (Tc) 360W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFK21 IXFK15 IXFK200 IXFK26
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 15A (Tc) 200A (Tc) 26A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 250mOhm @ 13A, 10V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Emballer Tube Tube Box Tube
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 100 V 600 V
Séries HiPerRF™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IXFK21N100F PDF

Téléchargez IXFK21N100F PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK21N100F - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 18/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
IXFK21N100F, IXFX21N100F.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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