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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxGWM70-01P2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GWM70-01P2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
GWM70-01P2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-GWM70-01P2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
Description détaillée
Emballage
17-SMD, Flat Leads
Fiche technique
GWM70-01P2.pdf
En stock: 4310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GWM70-01P2
IXYS - GWM70-01P2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - GWM70-01P2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS-DIL™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V  
Puissance - Max -  
Package / Boîte 17-SMD, Flat Leads  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A  
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numéro de produit de base GWM70  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS GWM70-01P2

Attributs du produit GWM70-01P2 NTHD4401PT3G SI3948DV-T1-GE3 GWM160-0055P3
Modèle de produit GWM70-01P2 NTHD4401PT3G SI3948DV-T1-GE3 GWM160-0055P3
Fabricant IXYS onsemi Vishay Siliconix IXYS
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 35A, 10V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 105mOhm @ 2.5A, 10V 3mOhm @ 100A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V 20V 30V 55V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A 2.1A - 160A
Numéro de produit de base GWM70 NTHD44 SI3948 GWM160
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte 17-SMD, Flat Leads 8-SMD, Flat Lead SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 17-SMD, Flat Leads
Séries - - TrenchFET® -
Package composant fournisseur ISOPLUS-DIL™ ChipFET™ 6-TSOP ISOPLUS-DIL™
Puissance - Max - 1.1W 1.15W -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V 6nC @ 4.5V 3.2nC @ 5V 90nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 300pF @ 10V - -

Fiche technique GWM70-01P2 PDF

Téléchargez GWM70-01P2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour GWM70-01P2 - IXYS.

Feuilles de données
GWM70-01P2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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