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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSZ0909NDXTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSZ0909NDXTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSZ0909NDXTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
BSZ0909NDXTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-WISON-8  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V  
Puissance - Max 17W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSZ0909  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1

Attributs du produit BSZ0909NDXTMA1 BSZ0908NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0909LSATMA1
Modèle de produit BSZ0909NDXTMA1 BSZ0908NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0909LSATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V 22 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 100 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) 40A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base BSZ0909 BSZ0908 BSZ096 BSZ0909
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V 340pF @ 15V, 730pF @ 15V 2100 pF @ 50 V 1700 pF @ 15 V
Fonction FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Logic Level Gate, 4.5V Drive Standard -
Package composant fournisseur PG-WISON-8 PG-WISON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TDSON-8 FL
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 2V @ 250µA
Séries OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 5
Puissance - Max 17W 700mW (Ta), 860mW (Ta) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique BSZ0909NDXTMA1 PDF

Téléchargez BSZ0909NDXTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSZ0909NDXTMA1 - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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