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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN31D5UDJ-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN31D5UDJ-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN31D5UDJ-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN31D5UDJ-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT963 T&R
Description détaillée
Emballage
SOT-963
Fiche technique
DMN31D5UDJ.pdf
État RoHS
En stock: 580950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN31D5UDJ-7
Diodes Incorporated - DMN31D5UDJ-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN31D5UDJ-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-963  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Puissance - Max 350mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-963  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22.6pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.38nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMN31  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN31D5UDJ-7

Attributs du produit DMN31D5UDJ-7 DMN3190LDW-7 DMN32D2LDF-7 DMN32D2LFB4-7
Modèle de produit DMN31D5UDJ-7 DMN3190LDW-7 DMN32D2LDF-7 DMN32D2LFB4-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Source -
Package composant fournisseur SOT-963 SOT-363 SOT-353 X2-DFN1006-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V 190mOhm @ 1.3A, 10V 1.2Ohm @ 100mA, 4V 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Puissance - Max 350mW (Ta) 320mW 280mW -
Package / Boîte SOT-963 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 3-XFDFN
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22.6pF @ 15V 87pF @ 20V 39pF @ 3V 39 pF @ 3 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA (Ta) 1A 400mA 300mA (Ta)
Numéro de produit de base DMN31 DMN3190 DMN32 DMN32
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.38nC @ 4.5V 2nC @ 10V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA

Fiche technique DMN31D5UDJ-7 PDF

Téléchargez DMN31D5UDJ-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN31D5UDJ-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021.pdf
Conception / spécification PCN
BOM C19400 17-May-2022.pdf
Feuilles de données
DMN31D5UDJ.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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