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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDG6313N
FDG6313N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDG6313N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDG6313N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDG6313N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
FDG6313N.pdf
En stock: 4260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDG6313N
onsemi - FDG6313N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDG6313N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V  
Puissance - Max 300mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDG6313  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDG6313N

Attributs du produit FDG6313N FDG6308P FDG6314P FDG6317NZ
Modèle de produit FDG6313N FDG6308P FDG6314P FDG6317NZ
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V - 1.1nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 25V 20V 25V 20V
Séries - PowerTrench® - PowerTrench®
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 153pF @ 10V - 66.5pF @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max 300mW 300mW - 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V - 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA 600mA - 700mA
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 1.5V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Numéro de produit de base FDG6313 FDG6308 FDG6314 FDG6317

Fiche technique FDG6313N PDF

Téléchargez FDG6313N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDG6313N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf Mold Compound 07/May/2008.pdf
Feuilles de données
FDG6313N.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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