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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxGWM160-0055P3
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GWM160-0055P3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
GWM160-0055P3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-GWM160-0055P3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Description détaillée
Emballage
17-SMD, Flat Leads
Fiche technique
GWM160-0055P3.pdf
En stock: 5040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GWM160-0055P3
IXYS - GWM160-0055P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - GWM160-0055P3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS-DIL™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V  
Puissance - Max -  
Package / Boîte 17-SMD, Flat Leads  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 55V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A  
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numéro de produit de base GWM160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS GWM160-0055P3

Attributs du produit GWM160-0055P3 DMHC3025LSD-13 NTHD4508NT1G SSD2025TF
Modèle de produit GWM160-0055P3 DMHC3025LSD-13 NTHD4508NT1G SSD2025TF
Fabricant IXYS Diodes Incorporated onsemi onsemi
Package composant fournisseur ISOPLUS-DIL™ 8-SO ChipFET™ 8-SOIC
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 100mOhm @ 3.3A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 590pF @ 15V 180pF @ 10V -
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max - 1.5W 1.13W 2W
Numéro de produit de base GWM160 DMHC3025 NTHD4508 SSD2025
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V 11.7nC @ 10V 4nC @ 4.5V 30nC @ 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A 6A, 4.2A 3A 3.3A
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss) 55V 30V 20V 60V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 17-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SMD, Flat Lead 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique GWM160-0055P3 PDF

Téléchargez GWM160-0055P3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour GWM160-0055P3 - IXYS.

Feuilles de données
GWM160-0055P3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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