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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - RFA2T18S262W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

A2T18S262W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Fabricant Modèle de produit
A2T18S262W12NR3
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-A2T18S262W12NR3
Modèle ECAD
Description des pièces
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Description détaillée
Emballage
OM-880X-2L2L
Fiche technique
A2T18S262W12NR3.pdf
En stock: 600

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Spécifications

Spécifications techniques A2T18S262W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S262W12NR3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S262W12NR3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Tension - Test 28V  
Tension - Nominale 65V  
Transistor Type LDMOS  
Package composant fournisseur OM-880X-2L2L  
Séries -  
Alimentation - sortie 231W  
Package / Boîte OM-880X-2L2L  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Autres noms 935346497528  
Noise Figure -  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)  
Gain 19.3dB  
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz  
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L  
Note actuelle 10µA  
Courant - Test 1.6A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale A2T18S262W12NR3

Attributs du produit A2T18S262W12NR3 AFT05MS003NT1 A2T27S020GNR1 A2T09D400-23NR6
Modèle de produit A2T18S262W12NR3 AFT05MS003NT1 A2T27S020GNR1 A2T09D400-23NR6
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Package composant fournisseur OM-880X-2L2L SOT-89A TO-270-2 GULL OM-1230-4L2S
Courant - Test 1.6A 100 mA 185 mA 1.2 A
Tension - Test 28V 7.5 V 28 V 28 V
Transistor Type LDMOS - - -
Package / Boîte OM-880X-2L2L TO-243AA TO-270BA OM-1230-4L2S
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) - - -
Autres noms 935346497528 - - -
Note actuelle 10µA - - -
Noise Figure - - - -
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz 520MHz 400MHz ~ 2.7GHz 716MHz ~ 960MHz
Tension - Nominale 65V 30 V 65 V 70 V
Gain 19.3dB 20.8dB 21dB 17.8dB
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L - - -
Alimentation - sortie 231W 3W 20W 400W
Séries - - - -

Fiche technique A2T18S262W12NR3 PDF

Téléchargez A2T18S262W12NR3 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour A2T18S262W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Livret des spécifications
A2T18S262W12NR3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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