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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - RFA2T18S165-12SR3
NXP Semiconductors / Freescale
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

A2T18S165-12SR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Fabricant Modèle de produit
A2T18S165-12SR3
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-A2T18S165-12SR3
Modèle ECAD
Description des pièces
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Description détaillée
Emballage
NI-780S-2L2L
Fiche technique
A2T18S165-12SR3.pdf
En stock: 518

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques A2T18S165-12SR3
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S165-12SR3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S165-12SR3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Tension - Test 28V  
Tension - Nominale 65V  
Transistor Type LDMOS  
Package composant fournisseur NI-780S-2L2L  
Séries -  
Alimentation - sortie 148W  
Package / Boîte NI-780S-2L2L  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Autres noms 935316365128  
Noise Figure -  
Gain 18dB  
La fréquence 1.805GHz ~ 1.995GHz  
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L  
Note actuelle 10µA  
Courant - Test 800mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale A2T18S165-12SR3

Attributs du produit A2T18S165-12SR3 A2T18H410-24SR6 A2T18H100-25SR3 A2T23H300-24SR6
Modèle de produit A2T18S165-12SR3 A2T18H410-24SR6 A2T18H100-25SR3 A2T23H300-24SR6
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Autres noms 935316365128 - - -
Tension - Test 28V 28 V 28 V 28 V
Package composant fournisseur NI-780S-2L2L NI-1230-4LS2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Séries - - - -
Gain 18dB 17.4dB 18.1dB 14.9dB
La fréquence 1.805GHz ~ 1.995GHz 1.81GHz 1.81GHz 2.3GHz
Transistor Type LDMOS - - -
Package / Boîte NI-780S-2L2L NI-1230-4LS2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Noise Figure - - - -
Note actuelle 10µA - - -
Courant - Test 800mA 800 mA 230 mA 750 mA
Tension - Nominale 65V 65 V 65 V 65 V
Alimentation - sortie 148W 71W 18W 66W
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L - - -

Fiche technique A2T18S165-12SR3 PDF

Téléchargez A2T18S165-12SR3 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour A2T18S165-12SR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Livret des spécifications
A2T18S165-12SR3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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