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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - RFA2T18S162W31GSR3
NXP Semiconductors / Freescale
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

A2T18S162W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Fabricant Modèle de produit
A2T18S162W31GSR3
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-A2T18S162W31GSR3
Modèle ECAD
Description des pièces
IC TRANS RF LDMOS
Description détaillée
Emballage
NI-780GS-2L2LA
Fiche technique
RF Products Selector Guide.pdf
A2T18S162W31(G)SR3.pdf
État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
En stock: 349

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques A2T18S162W31GSR3
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Tension - Test 28V  
Tension - Nominale 65V  
Transistor Type LDMOS  
Package composant fournisseur NI-780GS-2L2LA  
Séries -  
Alimentation - sortie 32W  
Emballage Tape & Reel (TR)  
Package / Boîte NI-780GS-2L2LA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Autres noms 935322254128  
Noise Figure -  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Gain 20.1dB  
La fréquence 1.84GHz  
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA  
Note actuelle -  
Courant - Test 1A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale A2T18S162W31GSR3

Attributs du produit A2T18S162W31GSR3 A2T18S262W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T20H330W24SR6
Modèle de produit A2T18S162W31GSR3 A2T18S262W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T20H330W24SR6
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant - - Lead free / RoHS Compliant
Package / Boîte NI-780GS-2L2LA OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Gain 20.1dB 19.3dB 18.1dB 16.5dB
La fréquence 1.84GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz 1.88GHz
Tension - Nominale 65V 65V 65 V 65V
Note actuelle - 10µA - -
Noise Figure - - - -
Courant - Test 1A 1.6A 230 mA 700mA
Tension - Test 28V 28V 28 V 28V
Autres noms 935322254128 935346497528 - 935320763128
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) 3 (168 Hours) - 1 (Unlimited)
Emballage Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L - RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 700mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L
Alimentation - sortie 32W 231W 18W 58W
Transistor Type LDMOS LDMOS - LDMOS (Dual)
Package composant fournisseur NI-780GS-2L2LA OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Séries - - - -

Fiche technique A2T18S162W31GSR3 PDF

Téléchargez A2T18S162W31GSR3 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour A2T18S162W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Livret des spécifications
RF Products Selector Guide.pdf A2T18S162W31(G)SR3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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