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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - RFA2T18S260W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

A2T18S260W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Fabricant Modèle de produit
A2T18S260W12NR3
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-A2T18S260W12NR3
Modèle ECAD
Description des pièces
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Description détaillée
Emballage
OM-880X-2L2L
Fiche technique
A2T18S260W12NR3.pdf
En stock: 245

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Spécifications

Spécifications techniques A2T18S260W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S260W12NR3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S260W12NR3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Tension - Test 28V  
Tension - Nominale 65V  
Transistor Type LDMOS  
Package composant fournisseur OM-880X-2L2L  
Séries -  
Alimentation - sortie 280W  
Package / Boîte OM-880X-2L2L  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Autres noms 935313167528  
Noise Figure -  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)  
Gain 18.7dB  
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz  
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L  
Note actuelle 10µA  
Courant - Test 1.5A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale A2T18S260W12NR3

Attributs du produit A2T18S260W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T21H410-24SR6 A2T18S262W12NR3
Modèle de produit A2T18S260W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T21H410-24SR6 A2T18S262W12NR3
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale
Noise Figure - - - -
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) - 1 (Unlimited) 3 (168 Hours)
Description détaillée RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L - RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L
Package / Boîte OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L OM-880X-2L2L
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz 2.17GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain 18.7dB 18.1dB 15.6dB 19.3dB
Séries - - - -
Autres noms 935313167528 - 935312756128 935346497528
Note actuelle 10µA - - 10µA
Tension - Test 28V 28 V 28V 28V
Tension - Nominale 65V 65 V 65V 65V
Transistor Type LDMOS - LDMOS (Dual) LDMOS
Package composant fournisseur OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L OM-880X-2L2L
Courant - Test 1.5A 230 mA 600mA 1.6A
Alimentation - sortie 280W 18W 72W 231W

Fiche technique A2T18S260W12NR3 PDF

Téléchargez A2T18S260W12NR3 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour A2T18S260W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Livret des spécifications
A2T18S260W12NR3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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