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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP10A17GQTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP10A17GQTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP10A17GQTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
ZXMP10A17GQ.pdf
État RoHS
En stock: 76140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated - ZXMP10A17GQTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP10A17GQTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP10A17GQTA

Attributs du produit ZXMP10A17GQTA ZXMP10A13FTA ZXMP10A17E6QTA ZXMN7A11KTC
Modèle de produit ZXMP10A17GQTA ZXMP10A13FTA ZXMP10A17E6QTA ZXMN7A11KTC
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V 1Ohm @ 600mA, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 625mW (Ta) 1.1W (Ta) 2.11W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 70 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 50 V 141 pF @ 50 V 424 pF @ 50 V 298 pF @ 40 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ZXMP10 ZXMP10 ZXMP10 ZXMN7A11
Package composant fournisseur SOT-223-3 SOT-23-3 SOT-26 TO-252-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 10 V 3.5 nC @ 10 V 10.7 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta) 600mA (Ta) 1.3A (Ta) 4.2A (Ta)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique ZXMP10A17GQTA PDF

Téléchargez ZXMP10A17GQTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP10A17GQTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
ZXMPYYY 17/Apr/2019.pdf
Feuilles de données
ZXMP10A17GQ.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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