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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP10A13FTA
ZXMP10A13FTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP10A13FTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP10A13FTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP10A13FTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXMP10A13F.pdf
État RoHS
En stock: 132640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP10A13FTA
Diodes Incorporated - ZXMP10A13FTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP10A13FTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 600mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 141 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP10A13FTA

Attributs du produit ZXMP10A13FTA ZXMP10A17E6TA ZXMN7A11GQTA ZXMP10A17GTA
Modèle de produit ZXMP10A13FTA ZXMP10A17E6TA ZXMN7A11GQTA ZXMP10A17GTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 600mA, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 70 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 141 pF @ 50 V 424 pF @ 50 V 298 pF @ 50 V 424 pF @ 50 V
Numéro de produit de base ZXMP10 ZXMP10 - ZXMP10
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-26 SOT-223 SOT-223-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Ta) 1.3A (Ta) 2.7A (Ta) 1.7A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 10 V 6.1 nC @ 5 V 7.4 nC @ 10 V 10.7 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta) 1.1W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA

Fiche technique ZXMP10A13FTA PDF

Téléchargez ZXMP10A13FTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP10A13FTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
ZXMP10A13F.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMP10A13FTA

Diodes Incorporated
32D-ZXMP10A13FTA

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