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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP10A18K
ZXMP10A18K Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP10A18K - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP10A18K
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP10A18K
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ZXMP10A18K.pdf
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP10A18K
Diodes Incorporated - ZXMP10A18K Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP10A18K

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.17W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1055 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26.9 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP10A18K

Attributs du produit ZXMP10A18K ZXMP10A18KTC ZXMP2120G4TA ZXMP10A17E6TA
Modèle de produit ZXMP10A18K ZXMP10A18KTC ZXMP2120G4TA ZXMP10A17E6TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 1mA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base ZXMP10 ZXMP10 ZXMP2120 ZXMP10
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.8A, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V 25Ohm @ 150mA, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V
Package composant fournisseur TO-252-3 TO-252-3 SOT-223-3 SOT-26
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1055 pF @ 50 V 1055 pF @ 50 V 100 pF @ 25 V 424 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 2.17W (Ta) 2.17W (Ta) 2W (Ta) 1.1W (Ta)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA SOT-23-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 200mA (Ta) 1.3A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26.9 nC @ 10 V 26.9 nC @ 10 V - 6.1 nC @ 5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V

Fiche technique ZXMP10A18K PDF

Téléchargez ZXMP10A18K PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP10A18K - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZXMP10A18K.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMP10A18K

Diodes Incorporated
32D-ZXMP10A18K

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