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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN7A11KTC
ZXMN7A11KTC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN7A11KTC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN7A11KTC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN7A11KTC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ZXMN7A11KTC.pdf
État RoHS
En stock: 82130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN7A11KTC
Diodes Incorporated - ZXMN7A11KTC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN7A11KTC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 4.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 298 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 70 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN7A11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN7A11KTC

Attributs du produit ZXMN7A11KTC ZXMN7A11GQTA ZXMP10A16KTC ZXMN6A25N8TA
Modèle de produit ZXMN7A11KTC ZXMN7A11GQTA ZXMP10A16KTC ZXMN6A25N8TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 20.4 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta) 2W (Ta) 2.15W (Ta) 1.56W (Ta)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 4.4A, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V 235mOhm @ 2.1A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Package composant fournisseur TO-252-3 SOT-223 TO-252-3 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ZXMN7A11 - ZXMP10 ZXMN6
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 298 pF @ 40 V 298 pF @ 50 V 717 pF @ 50 V 1063 pF @ 30 V
Tension drain-source (Vdss) 70 V 70 V 100 V 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta) 2.7A (Ta) 3A (Ta) 4.3A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

Fiche technique ZXMN7A11KTC PDF

Téléchargez ZXMN7A11KTC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN7A11KTC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZXMN7A11KTC.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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