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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP10A16KTC
ZXMP10A16KTC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP10A16KTC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP10A16KTC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP10A16KTC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ZXMP10A16K.pdf
État RoHS
En stock: 80220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP10A16KTC
Diodes Incorporated - ZXMP10A16KTC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP10A16KTC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.15W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 717 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP10A16KTC

Attributs du produit ZXMP10A16KTC ZXMP10A13FTA ZXMN7A11KTC ZXMP10A17E6QTA
Modèle de produit ZXMP10A16KTC ZXMP10A13FTA ZXMN7A11KTC ZXMP10A17E6QTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Package composant fournisseur TO-252-3 SOT-23-3 TO-252-3 SOT-26
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 3.5 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 10.7 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 717 pF @ 50 V 141 pF @ 50 V 298 pF @ 40 V 424 pF @ 50 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 2.1A, 10V 1Ohm @ 600mA, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ZXMP10 ZXMP10 ZXMN7A11 ZXMP10
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 70 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 2.15W (Ta) 625mW (Ta) 2.11W (Ta) 1.1W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 600mA (Ta) 4.2A (Ta) 1.3A (Ta)

Fiche technique ZXMP10A16KTC PDF

Téléchargez ZXMP10A16KTC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP10A16KTC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Autre
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
Feuilles de données
ZXMP10A16K.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMP10A16KTC

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