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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPS3810
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPS3810 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFPS3810
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPS3810
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Description détaillée
Emballage
TO-274AA
Fiche technique
IRFPS3810.pdf
En stock: 4120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPS3810
Infineon Technologies - IRFPS3810 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFPS3810

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 580W (Tc)  
Package / Boîte TO-274AA  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6790 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFPS3810

Attributs du produit IRFPS3810 IRFPS3810PBF IRFPS40N50LPBF IRFPS30N60KPBF
Modèle de produit IRFPS3810 IRFPS3810PBF IRFPS40N50LPBF IRFPS30N60KPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® - -
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247 (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 190mOhm @ 18A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 500 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Emballer Bag Bulk Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-274AA TO-274AA TO-274AA TO-274AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170A (Tc) 170A (Tc) 46A (Tc) 30A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6790 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V 8110 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 580W (Tc) 580W (Tc) 540W (Tc) 450W (Tc)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFPS3810 PDF

Téléchargez IRFPS3810 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFPS3810 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRFPS3810.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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