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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPS37N50APBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPS37N50APBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFPS37N50APBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPS37N50APBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Description détaillée
Emballage
TO-274AA
Fiche technique
Power MOSFET.pdf
État RoHS
En stock: 4500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPS37N50APBF
Vishay Siliconix - IRFPS37N50APBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFPS37N50APBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 446W (Tc)  
Package / Boîte TO-274AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5579 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFPS37  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFPS37N50APBF

Attributs du produit IRFPS37N50APBF IRFPS37N50APBF IRFPS40N50L IRFPS3810
Modèle de produit IRFPS37N50APBF IRFPS37N50APBF IRFPS40N50L IRFPS3810
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 46A (Tc) 170A (Tc)
Séries - HEXFET® - HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 446W (Tc) 446W (Tc) 540W (Tc) 580W (Tc)
Package / Boîte TO-274AA TO-274AA TO-274AA TO-274AA
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5579 pF @ 25 V 5579 pF @ 25 V 8110 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Emballer Tube Tube Tube Bag
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V
Numéro de produit de base IRFPS37 IRFPS37 IRFPS40 -

Fiche technique IRFPS37N50APBF PDF

Téléchargez IRFPS37N50APBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFPS37N50APBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mold Compounds 25/Feb/2016.pdf
PCN Autre
Assembly/Obs 22/Sep/2020.pdf
Feuilles de données
Power MOSFET.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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