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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPS40N60KPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPS40N60KPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFPS40N60KPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPS40N60KPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Description détaillée
Emballage
TO-274AA
Fiche technique
IRFPS40N60KPBF.pdf
État RoHS
En stock: 5440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPS40N60KPBF
Vishay Siliconix - IRFPS40N60KPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFPS40N60KPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 570W (Tc)  
Package / Boîte TO-274AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7970 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFPS40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFPS40N60KPBF

Attributs du produit IRFPS40N60KPBF IRFPS3810PBF IRFPS43N50KPBF IRFPS40N60K
Modèle de produit IRFPS40N60KPBF IRFPS3810PBF IRFPS43N50KPBF IRFPS40N60K
Fabricant Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 500 V 600 V
Package / Boîte TO-274AA TO-274AA TO-274AA TO-274AA
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7970 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V 8310 pF @ 25 V 7970 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Numéro de produit de base IRFPS40 - IRFPS43 IRFPS40
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - HEXFET® - -
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247 (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 170A (Tc) 47A (Tc) 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 24A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V 90mOhm @ 28A, 10V 130mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max) 570W (Tc) 580W (Tc) 540W (Tc) 570W (Tc)

Fiche technique IRFPS40N60KPBF PDF

Téléchargez IRFPS40N60KPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFPS40N60KPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mold Compounds 25/Feb/2016.pdf
PCN Autre
Assembly/Obs 22/Sep/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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