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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPS29N60LPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPS29N60LPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFPS29N60LPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPS29N60LPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
Description détaillée
Emballage
TO-274AA
Fiche technique
IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf
État RoHS
En stock: 5270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPS29N60LPBF
Vishay Siliconix - IRFPS29N60LPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFPS29N60LPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc)  
Package / Boîte TO-274AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFPS29  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFPS29N60LPBF

Attributs du produit IRFPS29N60LPBF IRFPS38N60L IRFPG30PBF IRFPG50PBF
Modèle de produit IRFPS29N60LPBF IRFPS38N60L IRFPG30PBF IRFPG50PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc) 540W (Tc) 125W (Tc) 190W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V
Package / Boîte TO-274AA TO-274AA TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) TO-247AC TO-247AC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V 980 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc) 38A (Tc) 3.1A (Tc) 6.1A (Tc)
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base IRFPS29 IRFPS38 IRFPG30 IRFPG50
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 1000 V 1000 V

Fiche technique IRFPS29N60LPBF PDF

Téléchargez IRFPS29N60LPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFPS29N60LPBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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