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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPS40N60K
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPS40N60K - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFPS40N60K
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPS40N60K
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Description détaillée
Emballage
TO-274AA
Fiche technique
IRFPS40N60K.pdf
En stock: 4590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPS40N60K
Vishay Siliconix - IRFPS40N60K Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFPS40N60K

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 570W (Tc)  
Package / Boîte TO-274AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7970 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFPS40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFPS40N60K

Attributs du produit IRFPS40N60K IRFPS3810PBF IRFPS40N50LPBF IRFPS38N60L
Modèle de produit IRFPS40N60K IRFPS3810PBF IRFPS40N50LPBF IRFPS38N60L
Fabricant Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFPS40 - IRFPS40 IRFPS38
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 170A (Tc) 46A (Tc) 38A (Tc)
Séries - HEXFET® - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 500 V 600 V
Package / Boîte TO-274AA TO-274AA TO-274AA TO-274AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7970 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V 8110 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 570W (Tc) 580W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
Package composant fournisseur SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247 (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 24A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V
Emballer Tube Bulk Tube Tube

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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