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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7545TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7545TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7545TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 85A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH7545TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 48420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 51A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH7545  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7545TRPBF

Attributs du produit IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF
Modèle de produit IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 3.1W (Ta) - 3.6W (Ta), 104W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 40 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 2.35V @ 25µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 100µA
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRFH7545 IRFH7914 - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 138 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V - 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc) 15A (Ta), 35A (Tc) 85A (Tc) 15A (Ta), 82A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 51A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 49A, 10V
Séries StrongIRFET™ HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 25 V 1160 pF @ 15 V 4574 pF @ 25 V 1685 pF @ 50 V

Fiche technique IRFH7545TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7545TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7545TRPBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Emballage PCN
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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