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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7914TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7914TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7914TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7914TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH7914TR2PBF.pdf
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7914TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH7914TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7914TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 35A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7914TR2PBF

Attributs du produit IRFH7914TR2PBF IRFH7787TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7923TRPBF
Modèle de produit IRFH7914TR2PBF IRFH7787TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7923TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries - HEXFET®, StrongIRFET™ FASTIRFET™ -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 75 V 80 V 30 V
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 41A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8.7mOhm @ 15A, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-VQFN 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 3.7V @ 100µA 3.6V @ 150µA 2.35V @ 25µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 35A (Tc) 68A (Tc) 22A (Ta) 15A (Ta), 33A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V 4030 pF @ 25 V 2311 pF @ 40 V 1095 pF @ 15 V

Fiche technique IRFH7914TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH7914TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7914TR2PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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