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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7440TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7440TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7440TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7440TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH7440TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 53030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7440TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7440TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7440TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4574 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH7440  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7440TRPBF

Attributs du produit IRFH7440TRPBF IRFH7446TR2PBF IRFH7194TRPBF IRFH7190ATRPBF
Modèle de produit IRFH7440TRPBF IRFH7446TR2PBF IRFH7194TRPBF IRFH7190ATRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc) - 3.6W (Ta), 39W (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V - 10V -
Séries HEXFET®, StrongIRFET™ - FASTIRFET™, HEXFET® *
Numéro de produit de base IRFH7440 - - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4574 pF @ 25 V 3174 pF @ 25 V 733 pF @ 50 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 50µA -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 16.4mOhm @ 21A, 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc) 85A (Tc) 11A (Ta), 35A (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -

Fiche technique IRFH7440TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7440TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7440TRPBF - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 15/Mar/2022.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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