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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRFH7911TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7911TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7911TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7911TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Description détaillée
Emballage
18-PowerVQFN
Fiche technique
IRFH7911TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7911TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V  
Puissance - Max 2.4W, 3.4W  
Package / Boîte 18-PowerVQFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A, 28A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRFH7911  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7911TRPBF

Attributs du produit IRFH7911TRPBF IRFH7911M IRFH7914TR2PBF IRFH7921M
Modèle de produit IRFH7911TRPBF IRFH7911M IRFH7914TR2PBF IRFH7921M
Fabricant Infineon Technologies IR Infineon Technologies IR
Type de montage Surface Mount - Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V - 12 nC @ 4.5 V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V - 1160 pF @ 15 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Package / Boîte 18-PowerVQFN - 8-PowerTDFN -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA - 2.35V @ 25µA -
Numéro de produit de base IRFH7911 - - -
Puissance - Max 2.4W, 3.4W - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Séries HEXFET® - - -
Package composant fournisseur PQFN (5x6) - 8-PQFN (5x6) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V - 8.7mOhm @ 14A, 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT) -
Tension drain-source (Vdss) 30V - 30 V -
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A, 28A - 15A (Ta), 35A (Tc) -

Fiche technique IRFH7911TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7911TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7911TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 13/Apr/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site Addition 18/Sep/2015.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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