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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7914TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7914TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7914TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7914TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH7914TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 155240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7914TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7914TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7914TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 35A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH7914  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7914TRPBF

Attributs du produit IRFH7914TRPBF IRFH7545TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7914TR2PBF
Modèle de produit IRFH7914TRPBF IRFH7545TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7914TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Séries HEXFET® StrongIRFET™ FASTIRFET™ -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 80 V 30 V
Numéro de produit de base IRFH7914 IRFH7545 - -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 3.7V @ 100µA 3.6V @ 150µA 2.35V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V 3890 pF @ 25 V 2311 pF @ 40 V 1160 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 35A (Tc) 85A (Tc) 22A (Ta) 15A (Ta), 35A (Tc)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta) 83W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V 5.2mOhm @ 51A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-VQFN 8-PowerTDFN

Fiche technique IRFH7914TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7914TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7914TRPBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
PCN Autre
Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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