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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7185TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7185TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7185TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7185TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH7185PbF.pdf
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7185TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7185TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7185TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta)  
Numéro de produit de base IRFH7185  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7185TRPBF

Attributs du produit IRFH7185TRPBF IRFH7446TR2PBF IRFH7182TRPBF IRFH7191TRPBF
Modèle de produit IRFH7185TRPBF IRFH7446TR2PBF IRFH7182TRPBF IRFH7191TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V 3174 pF @ 25 V 3120 pF @ 50 V 1685 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries FASTIRFET™, HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc) - 4W (Ta), 195W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8mOhm @ 48A, 10V
Numéro de produit de base IRFH7185 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 250µA 3.6V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 100 V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta) 85A (Tc) 23A (Ta), 157A (Tc) 15A (Ta), 80A (Tc)

Fiche technique IRFH7185TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7185TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7185TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Wafer Fab Closure/Device EOL 27/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRFH7185PbF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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